绝缘栅双极晶体管-IGBT的主要参数

（1）IGBT的主要参数
1.前面提到的各参数。
2.最大集射极间电压UCES
由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。
3.最大集电极电流
包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。
4.最大集电极功耗PCM
 在正常工作温度下允许的最大耗散功率。  
（2）IGBT的特性和参数特点可以总结如下：
1.开关速度高，开关损耗小。
2.在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。
3.通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。
4.输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类似。
5.与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。
（3）IGBT的擎住效应和安全工作区
IGBT的擎住效应
1.在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应或自锁效应。
2.引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或温度升高。
3.动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。
IGBT的安全工作区
1.正向偏置安全工作区（Forward Biased SafeOperating Area——FBSOA）
根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。  
2.反向偏置安全工作区（Reverse Biased SafeOperating Area——RBSOA）
根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。