绝缘栅双极晶体管--IGBT的基本特性

IGBT的基本特性
（1）静态特性
1.转移特性
  描述的是集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系。
  开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压，随温度升高而略有下降。    2.输出特性（伏安特性）
  描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。
  分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
  当UCE<0时，IGBT为反向阻断工作状态。
   在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 （2）动态特性
1.开通过程
  开通延迟时间td(on)
  电流上升时间tr
  电压下降时间tfv
  开通时间ton= td(on)+tr+ tfv
   tfv分为tfv1和tfv2两段。 
2.关断过程
  关断延迟时间td(off)
  电压上升时间trv
  电流下降时间tfi
   关断时间toff = td(off) +trv+tfi
   tfi分为tfi1和tfi2两段
3.引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度要低于电力MOSFET。