电力MOSFET的基本特性

电力MOSFET的基本特性
（1）静态特性
转移特性
1.指漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系，反映了输入电压和输出电流的关系 。
2.ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导Gfs，即

3.是电压控制型器件，其输入阻抗极高，输入电流非常小。 （2）输出特性
1.是MOSFET的漏极伏安特性。
2.截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）三个区域，饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。  
3.工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
4.本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。
5.通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 （3）动态特性
1.开通过程
   开通延迟时间td(on)
   电流上升时间tr
   电压下降时间tfv
   开通时间ton= td(on)+tr+ tfv
2.关断过程
   关断延迟时间td(off)
   电压上升时间trv
   电流下降时间tfi
   关断时间toff = td(off) +trv+tfi
3.MOSFET的开关速度和其输入
电容的充放电有很大关系，可以降
低栅极驱动电路的内阻Rs，从而减
小栅极回路的充放电时间常数，加
快开关速度。 电力MOSFET的主要参数
1.跨导Gfs、开启电压UT以及开关过程中的各时间参数。
2.漏极电压UDS
标称电力MOSFET电压定额的参数。
3.漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM
标称电力MOSFET电流定额的参数。
4.栅源电压UGS
栅源之间的绝缘层很薄，|UGS|>20V将导致绝缘层击穿。
5.极间电容
 CGS、CGD和CDS。
6.漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET的安全工作区。