电力场效应晶体管

分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称电力MOSFET（Power MOSFET）。
电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有：
驱动电路简单，需要的驱动功率小。
开关速度快，工作频率高。
热稳定性优于GTR。
电流容量小，耐压低，多用于功率不超过10kW的电力电子装置。
（1）电力MOSFET的结构和工作原理
电力MOSFET的种类
1.按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
2.当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。
3.对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。
4.在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。
（2）电力MOSFET的结构
1.是单极型晶体管。
2.结构上与小功率MOS管有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，而目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构，所以又称为VMOSFET（VerticalMOSFET），这大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
3.按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET（Vertical V-groove MOSFET）和具有垂直导电双扩散MOS结构的DMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。
4.电力MOSFET也是多元集成结构。 （3）电力MOSFET的工作原理
1.截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
2.导通
   在栅极和源极之间加一正电压UGS，正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。
   当UGS大于某一电压值UT时，使P型半导体反型成N型半导体，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
    UT称为开启电压（或阈值电压），UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。